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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0733271 (1996-10-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 140 인용 특허 : 10 |
A p-i-n structure for use in photoconductors and diodes is disclosed, being formed of an Al.sub.x Ga.sub.1-x N alloy (X=0.fwdarw.1) with In.sub.y Ga.sub.1-Y N (Y=0.fwdarw.1) which as grown by MOCVD procedure with the p-type layer adjacent the substrate. In the method of the subject invention, buffer
[ What is claimed is:] [1.] A method of growing a III-V nitride compound semiconductor, comprising the steps of:a) providing a substrate;b) growing a buffer layer on said substrate;c) growing, doping and annealing a p-type lower contact layer on said buffer layer;d) growing, doping and annealing a p
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