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Method of forming a bonding pad 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/44
출원번호 US-0917407 (1997-08-25)
발명자 / 주소
  • Ming-Tsung Liu,TWX
  • Hsu Bill Y. B.,TWX
  • Chung Hsien-Dar,TWX
  • Wu Dev-Yuan,TWX
출원인 / 주소
  • United Microelectronics Corp., TWX
대리인 / 주소
    Rabin & Champagne, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 21  인용 특허 : 4

초록

A structure and a process for forming an improved bonding pad which allows better bonding between a bond wire and a metal bonding pad. Stripes are formed on a substrate. A conformal dielectric layer, a conformal barrier layer and a metal layer are formed over the stripes. A passivation layer with a

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] A method of forming an improved bonding pad in a bonding pad area on a substrate, the steps comprising:forming broken stripes on a substrate in a pattern in at least said bonding pad area forming an irregular top surface configuration,forming a conformal dielectric layer

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Anderson George F. (Tempe AZ) Burt Dan L. (Phoenix AZ), Metallization means and method for high temperature applications.
  2. Bryant Frank R. (Denton TX) Chen Fusen E. (Milpitas CA), Semiconductor bond pad structure and method.
  3. Nakamae Masahiko (Tokyo JPX), Semiconductor device having multilayer silicide contact system and process of fabrication thereof.
  4. Paterson James L. (Richardson TX), Silicide/metal floating gate process.

이 특허를 인용한 특허 (21)

  1. Safai, Sohrab; Clegg, David B.; Tran, Tu-Anh N., Bond pad having a trench and method for forming.
  2. Irsigler, Peter; Seider-Schmidt, Martina; Schmidt, Sebastian; Hellmund, Oliver, Bond pad structure.
  3. Yu, Chen-Hua; Jeng, Shwang-Ming; Lu, Yung-Cheng; Chang, Huilin; Shen, Ting-Yu; Liao, Yichi, Bond pads and methods for fabricating the same.
  4. Chin Chiu Hsia TW; Bing-Yue Tsui TW; Tsung-Ju Yang TW; Tsung Yao Chu TW, Bonding pad and method for manufacturing it.
  5. Hsia, Chin Chiu; Tsui, Bing-Yue; Yang, Tsung-Ju; Chu, Tsung Yao, Bonding pad and method for manufacturing it.
  6. Hideki Toya JP; Mitsuyoshi Imai JP; Masaki Sakaguchi JP; Naoki Yamabe JP; Mamoru Suwa JP; Toshiyuki Motooka JP; Hideharu Sakoda JP; Muneharu Morioka JP, Carrier substrate for producing semiconductor device.
  7. Hébert, François; Bhalla, Anup, Copper bonding compatible bond pad structure and method.
  8. Huang Yung-Sheng,TWX ; Hsieh Hung-Chang,TWX ; Hsieh Han-Chang,TWX, Deep-submicron integrated circuit package for improving bondability.
  9. Tran, Tu-Anh N.; Lee, Chu-Chung, Electronic component package and method for forming same.
  10. Adkisson,James W.; Gambino,Jeffrey P.; Jaffe,Mark D.; Rassel,Richard J.; Sprogis,Edmund J., High surface area aluminum bond pad for through-wafer connections to an electronic package.
  11. Yu, Chen-Hua; Jeng, Shwang-Ming; Lu, Yung-Cheng; Chang, Huilin; Shen, Ting-Yu; Liao, Yichi, Integrated circuit device.
  12. Bhalla, Anup; Pan, Ji; Ng, Daniel, Junction barrier Schottky diode with enforced upper contact structure and method for robust packaging.
  13. Allman, Derryl D. J.; Price, David T., Method for forming a bonding pad on a substrate.
  14. Huang Yung-Sheng,TWX ; Hsieh Hung-Chang,TWX ; Hsieh Han-Chang,TWX, Method for improving bondability for deep-submicron integrated circuit package.
  15. Richard Philip Surprenant ; Edward Sumner Begle ; Nancy Wagner Hannon ; Mathias Pierre Jeanneret, Method of forming recessed thin film landing pad structure.
  16. Michael J. Hart ; James Karp, Method of improved bondability when using fluorinated silicon glass.
  17. Chen Sheng-Hsiung,TWX, Method of improving copper pad adhesion.
  18. Chen,Sheng Hsiung, Method of improving copper pad adhesion.
  19. Koskenmaki David C. ; Schueller Randolph D. ; McCollam Robert P., Patterned array of metal balls and methods of making.
  20. Toya, Hideki; Imai, Mitsuyoshi; Sakaguchi, Masaki; Yamabe, Naoki; Suwa, Mamoru; Motooka, Toshiyuki; Sakoda, Hideharu; Morioka, Muneharu, Resin for semiconductor wire.
  21. Liu Chin-Kai,TWX, Stress relieve pattern for damascene process.
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