최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0914010 (1997-08-11) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 6 |
An adhering, continuous, polycrystalline diamond film is deposited on a z sulfide substrate by forming a refractory nitride interlayer directly on the substrate and then depositing diamond on the interlayer in a vacuum chamber containing a microwave activated mixture of hydrogen and a gas including
[ What is claimed is:] [1.] A method of forming a continuous, polycrystalline, diamond layer on a zinc sulfide substrate, the method comprising depositing a refractory nitride layer on said zinc sulfide substrate and subsequently depositing said diamond layer directly on said nitride layer from acti
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.