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특허 상세정보

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Molded silicon carbide bodies

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C04B-035/565   
미국특허분류(USC) 501/090 ; 501/080 ; 501/082 ; 501/089 ; 501/092 ; 501/096.5
출원번호 US-0737233 (1996-11-08)
우선권정보 DE-0014968 (1996-04-17)
국제출원번호 PCT/EP96/017 (1996-04-24)
§371/§102 date 19961108 (19961108)
국제공개번호 WO-9633959 (1996-10-31)
발명자 / 주소
  • Elstner Ingo,DEX
  • Grimm Daniel,DEX
  • Hebel Rudolf,DEX
  • Santowski Klaus,DEX
출원인 / 주소
  • Didier-Werke AG, DEX
대리인 / 주소
    Wenderoth, Lind & Ponack, L.L.P.
인용정보 피인용 횟수 : 6  인용 특허 : 4
초록

The invention relates to a microporous carbon-bound molded SiC body with granular SiC, secondarily formed SiC and a secondarily formed silicon compound, for use as inwall brick for lining a blast furnace as well as for use as susceptor for heating ceramic, electrically non-conductive molded bodies, inorganic melts, glasses and slags.

대표
청구항

[ We claim:] [1.] A molded SiC body comprising secondarily formed SiC, 3-33 percent by weight free carbon, and 0.1-10 percent by weight of an oxygen-containing silicon compound, and having a porosity of 8-23 percent by volume, and a pore distribution with a fraction of the pores having a mean pore diameter greater than 1 .mu.m, of less than 3 percent by volume.

인용문헌 (4)

  1. Fuziwara Shigeru (Himeji JPX) Tamura Shinichi (Himeji JPX), Blast furnace hearth.
  2. Dohi Shoji (Suita JPX) Nakashiba Akio (Katano JPX) Hamada Kengo (Matsubara JPX) Yurugi Shigenobu (Osaka JPX) Sano Hiroshi (Izumi JPX) Hayashi Yoshitaka (Osaka JPX) Nishihira Akira (Daito JPX) Asada H, Carbonaceous ceramic composite for use in contact with molten nonferrous metal.
  3. Owens Dean P. (Tonawanda NY) Ruppel Irving B. (Kenmore NY), Porous silicon carbide.
  4. Schoennahl Jacques P. R. (Villeurbanne FRX), Refractory materials formed from refractory grains bonded by a sialon matrix containing dispersed graphite and/or boron.

이 특허를 인용한 특허 (6)

  1. Schauer,Reinhard; Werner,Norbert, Coated semiconductor wafer, and process and device for producing the semiconductor wafer.
  2. Takanami Hiroshi,JPX ; Ishii Yukio,JPX ; Asuwa Mamoru,JPX, Sintered silicon carbide with graphite added thereto, sintered composite containing the same, and mechanical seal.
  3. Amirzadeh-Asl, Djamschid; Funders, Dieter, Use of particulate materials containing TiO2 in refractory products.
  4. Levoy, Nancy P.; Cortellini, Edmund A.; Jorge, Eric, Volume-change resistant silicon oxy-nitride or silicon oxy-nitride and silicon nitride bonded silicon carbide refractory.
  5. Boguslavskiy, Vadim; Gurary, Alexander I., Wafer carrier with hub.
  6. Boguslavskiy, Vadim; Gurary, Alexander I., Wafer processing method with carrier hub removal.

IPC 상위 출원인