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Insulated-gate controlled semiconductor device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H02H-009/00
출원번호 US-0001199 (1993-01-07)
우선권정보 JP-0005252 (1992-01-16)
발명자 / 주소
  • Kumagai Naoki,JPX
  • Ueno Katsunori,JPX
출원인 / 주소
  • Fuji Electric Co., Ltd., JPX
대리인 / 주소
    Finnegan, Henderson, Farabow, Garrett & Dunner, L.L.P.
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 0

초록

An insulated-gate controlled semiconductor device includes a main circuit that is controlled by an insulated gate having a gate resistor, an overload detector having the insulated gate for use in common with the main circuit, the overload detector being of the same construction as that of the main c

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] A short protective circuit comprising:a control terminal;a first switching element having a control electrode, a first electrode and a second electrode, said first switching element being driven by a signal applied from the control terminal to the control electrode;a seco

이 특허를 인용한 특허 (8)

  1. Toshiro Karaki JP; Kraisorn Throngnumchai JP, Drive circuit for semiconductor power device and semiconductor switching circuit using the drive circuit.
  2. Friedrichs,Peter; Griepentrog,Gerd; Maier,Reinhard; Mitlehner,Heinz; Sch?rner,Reinhold, Electronic switching device.
  3. Kelly Brendan P.,GBX, Power device with a short-circuit detector.
  4. Furukawa, Akihiko; Kagawa, Yasuhiro; Miura, Naruhisa; Hino, Shiro; Nakata, Shuhei; Ohtsuka, Kenichi; Watanabe, Shoyu; Imaizumi, Masayuki, Power semiconductor device.
  5. Ueno, Takahisa; Yonemoto, Kazuya; Suzuki, Ryoji; Shiono, Koichi, Solid-state imaging element having image signal overflow path.
  6. Ueno, Takahisa; Yonemoto, Kazuya; Suzuki, Ryoji; Shiono, Koichi, Solid-state imaging element having image signal overflow path.
  7. Jansen, Uwe, Temperature detection for a semiconductor component.
  8. Ribarich, Thomas J., Voltage converter with VCC-less RDSon current sensing circuit.
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