최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0678065 (1996-07-10) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 74 인용 특허 : 0 |
Another aspect of this invention is a hermetically-sealed inductively-coupled plasma source structure and method of fabrication which eliminates the possibility of process contamination, improves the source hardware reliability and functionality, and improves the vacuum integrity and ultimate base p
[ What is claimed is:] [1.] A method for producing a plasma in a plasma processing equipment having a plasma processing chamber, comprising the steps of:producing a plasma from a plasma process gas using a first inductively-coupled antenna structure and at least one additional inductively-coupled an
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.