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Photodetectors using III-V nitrides 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-027/142
  • H01L-031/0304
출원번호 US-0681971 (1996-07-30)
발명자 / 주소
  • Moustakas Theodore D.
출원인 / 주소
  • Trustees of Boston University
대리인 / 주소
    Hunton & Williams
인용정보 피인용 횟수 : 45  인용 특허 : 0

초록 ▼

A bandpass photodetector using a III-V nitride and having predetermined electrical properties. The bandpass photodetector detects electromagnetic radiation between a lower transition wavelength and an upper transition wavelength. That detector comprises two low pass photodetectors. The response of t

대표청구항 ▼

[ We claim:] [1.] A bandpass photodetector for detecting electromagnetic radiation having a wavelength between a lower transition wavelength and an upper transition wavelength, the photodetector comprising:a first photodetector having a maximum response for wavelengths below the lower transition wav

이 특허를 인용한 특허 (45)

  1. Wei X. Yang ; Thomas E. Nohava ; Scott A. McPherson ; Robert C. Torreano ; Subash Krishnankutty ; Holly A. Marsh, Back-illuminated heterojunction photodiode.
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  2. Liao, Yitao; Collins, Douglas A., Backside transparent substrate roughening for UV light emitting diode.
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  3. Liao, Yitao; Collins, Douglas A., Backside transparent substrate roughening for UV light emitting diode.
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  4. Cole, Barrett E.; Marta, Terry, Beam intensity detection in a cavity ring down sensor.
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  5. Cole, Barrett E., CRDS mirror for normal incidence fiber optic coupling.
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  6. Cole, Barrett E., Cavity enhanced photo acoustic gas sensor.
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  7. Cole, Barrett E., Cavity ring-down spectrometer having mirror isolation.
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  8. Cox, James Allen; Cole, Barrett E., Compact gas sensor using high reflectance terahertz mirror and related system and method.
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  9. Schlesser, Raoul; Collazo, Ramón R.; Sitar, Zlatko, Controlled polarity group III-nitride films and methods of preparing such films.
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  10. Schlesser, Raoul; Collazo, Ramón R.; Sitar, Zlatko, Controlled polarity group III-nitride films and methods of preparing such films.
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  11. Fritz, Bernard, Enhanced cavity for a photoacoustic gas sensor.
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  12. Wrbanek, John D.; Wrbanek, Susan, Fast, large area, wide band GAP UV photodetector for cherenkov light detection.
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  13. Ryu Hirota JP; Masami Tatsumi JP, Group III-V nitride semiconductor growth method and vapor phase growth apparatus.
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  14. Einav, Moshe, Group-III metal nitride and preparation thereof.
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  15. Yang Wei ; Nohava Thomas E. ; McPherson Scott A. ; Torreano Robert C. ; Marsh Holly A. ; Krishnankutty Subash, High gain GaN/AlGaN heterojunction phototransistor.
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  16. Cox, James Allen; Higashi, Robert, High reflectance terahertz mirror and related method.
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  17. Schaff, William J.; Hwang, Jeonghyun, Highly doped III-nitride semiconductors.
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  18. Schaff, William J.; Hwang, Jeonghyun, Highly doped III-nitride semiconductors.
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  19. Schaff, William J.; Hwang, Jeonghyun, Highly doped III-nitride semiconductors.
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  20. Schaff,William J.; Hwang,Jeonghyun, Highly doped III-nitride semiconductors.
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  21. Schaff,William J.; Hwang,Jeonghyun, Highly doped III-nitride semiconductors.
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  22. King, Clifford A.; Rafferty, Conor S., Image sensor comprising isolated germanium photodetectors integrated with a silicon substrate and silicon circuitry.
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  23. King, Clifford A.; Rafferty, Conor S., Image sensor comprising isolated germanium photodetectors integrated with a silicon substrate and silicon circuitry.
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  24. Khare, Reena; Goetz, Werner K.; Camras, Michael D., Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices.
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  25. Higashi, Robert E.; Newstrom-Peitso, Karen M.; Ridley, Jeffrey A., Integral topside vacuum package.
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  26. Yuri Masaaki,JPX ; Ueda Tetsuzo ; Baba Takaaki, Method of forming gallium nitride crystal.
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  27. Tuller, Harry L.; Mlcak, Richard; Doppalapudi, Dharanipal, Micromechanical device with an epitaxial layer.
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  28. Mlcak, Richard; Doppalapudi, Dharanipal; Tuller, Harry L., Micromechanical piezoelectric device.
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  29. Cole,Barrett E.; Higashi,Robert E.; Zins,Christopher J.; Krishnankutty,Subash, Multi-substrate package assembly.
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  30. Cole,Barrett E.; Higashi,Robert E.; Zins,Christopher J.; Krishnankutty,Subash, Multi-substrate package assembly.
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  31. Cole, Barrett E.; Marta, Terry; Cox, James Allen; Nusseibeh, Fouad, Multiple wavelength cavity ring down gas sensor.
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  32. Cole,Barrett E., Multiple wavelength spectrometer.
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  33. Cole, Barrett E.; Cox, James A.; Zook, J. David, Optical cavity system having an orthogonal input.
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  34. Yasushi Nanishi JP; Michio Kadota JP, Opto-electronic integrated circuit.
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  35. Cole, Barrett E.; Gu, Yuandong, Particle detection using fluorescence.
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  36. Collazo, Ramon R.; Sitar, Zlatko; Dalmau, Rafael, Passivation of aluminum nitride substrates.
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  37. Collazo, Ramon R.; Sitar, Zlatko; Dalmau, Rafael, Passivation of aluminum nitride substrates.
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  38. Sugibuchi, Mayo; Takahashi, Kohsuke; Goto, Shunsuke; Kashiwaba, Yasube; Endo, Haruyuki; Hasegawa, Tatsuo; Izumida, Fukunori; Ohshima, Eriko, Photovoltaic ultraviolet sensor.
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  39. Yagi, Shigeru, Portable information device.
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  40. Menge, Peter R.; Rozsa, Csaba M., Radiation detector device.
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  41. Menge, Peter R., Scintillator and detector assembly including a single photon avalanche diode and a device of a quenching circuit having a same wide band-gap semiconductor material.
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  42. Brown, Dale M.; McGrath, Donald T.; Greskovich, Charles David; Lyons, Robert Joseph, SiC photodiode detectors for radiation detection applications.
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  43. Cole,Barrett E.; Higashi,Robert E.; Subramanian,Arunkumar; Krishnankutty,Subash, Spectrally tunable detector.
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  44. Cole,Barrett E.; Higashi,Robert E.; Subramanian,Arunkumar; Krishnankutty,Subash, Spectrally tunable detector.
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  45. Cox,James A.; Cole,Barrett E., Tunable laser fluid sensor.
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