[특허]Method for forming aluminum contacts

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Method for forming aluminum contacts 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-014/00
출원번호	US-0892778 (1997-07-15)
발명자 / 주소	Fu Jianming Xu Zheng
출원인 / 주소	Applied Materials, Inc.
대리인 / 주소	Morris
인용정보	피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 4

초록 ▼

A process for making an aluminum contact comprising sputter depositing in a contact opening in a semiconductor substrate a first layer of titanium, forming a thin layer of titanium oxide thereover, sputter depositing a titanium nitride layer, smoothing the titanium nitride layer in an argon plasma, and sputter depositing an aluminum contact over the treated titanium nitride layer. The argon plasma treatment smooths the surface of the titanium nitride layer and improves the wettability between this layer and aluminum.

대표청구항 ▼

[ We claim:] [1.] A process for forming aluminum contacts which comprises the following sequential steps:a) sputter depositing a titanium layer onto a semiconductor substrate having a plurality of openings therein;b) forming an oxygen-containing titanium layer over the titanium layer;c) sputter depositing a titanium nitride layer over the oxygen-containing titanium layer;d) treating the surface of the titanium nitride layer with a plasma of argon to smooth said surface; ande) sputter depositing an aluminum layer over the plasma treated titanium nitride layer.

이 특허에 인용된 특허 (4)

Sugano Yukiyasu (Kanagawa JPX) Minegishi Shinji (Kanagawa JPX) Koyama Kazuhide (Kanagawa JPX) Sumi Hirofumi (Kanagawa JPX), Aluminum metallization method.
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Ngan Kenny K. (Fremont CA) Ong Edith (Saratoga CA), Barrier layers and aluminum contacts.
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Ito Masahiko (Kanagawa JPX), Interconnection structure with TiON layers.
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Mueller Mark A. (San Jose CA) Guo Xin (Mountain View CA) Egermeier John C. (Santa Clara CA), Method for in-situ cleaning a Ti target in a Ti +TiN coating process.
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이 특허를 인용한 특허 (9)

Wang,Xingwu; Greenwald,Howard J.; Miller,Ronald E.; Helfer,Jeffrey L.; Gray,Robert, Magnetically shielded assembly.
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Wang,Xingwu; Greenwald,Howard J.; Miller,Ronald E.; Helfer,Jeffrey L.; Gray,Robert, Magnetically shielded assembly.
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Le, Hien-Minh Huu; Kieu, Hoa Thi, Method and apparatus for forming an anti-reflective coating on a substrate.
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Fu Chu-Yun,TWX ; Chang Chung-Long,TWX ; Jang Syun-Ming,TWX ; Jeng Shwangming,TWX, Method for smoothing polysilicon gate structures in CMOS devices.
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Chen Jeng-Pei,TWX ; Chiu Chung-Yi,TWX ; Lee Chang Hsun,TWX, Method of forming metal lines in an integrated circuit having reduced reaction with an anti-reflection coating.
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Miyazaki, Tomihito; Kiyama, Makoto; Horii, Taku, Method of producing semiconductor device.
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Dobson Christopher David,GBX, Method of removing surface oxides found on a titanium oxynitride layer using a nitrogen containing plasma.
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Dobson Christopher David,GBX ; Harris Mark Graeme Martin,GBX ; Buchanan Keith Edward,GBX, Methods of forming a barrier layer.
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Miyazaki, Tomihito; Kiyama, Makoto; Horii, Taku, Semiconductor device and method of producing same.
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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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