$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Method for removing hydrides, alkoxides and alkylates out of a gas using cupric hydroxide 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B01D-053/44
  • B01D-053/34
출원번호 US-0867790 (1997-06-03)
우선권정보 JP-0324408 (1993-12-22)
발명자 / 주소
  • Sugimori Yoshiaki,JPX
  • Watanabe Tadaharu,JPX
  • Kikuchi Hitoshi,JPX
  • Endo Fumitaka,JPX
  • Ichimura Shinji,JPX
  • Yoshida Megumi,JPX
  • Imai Hiroaki,JPX
출원인 / 주소
  • Nipon Sanso Corporation, JPX
대리인 / 주소
    Armstrong, Westerman, Hattori, McLeland & Naughton
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 11

초록

The present invention relates to a method of removing harmful components selected from the group consisting of volatile inorganic hydrides, volatile inorganic halides and organometallic compounds and a method of detecting the same, apparatus employed according to these methods. The harmful component

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] A method of removing a volatile harmful component selected from the group consisting of hydrides of Si, P, As, B, Se and Ge and alkylates and alkoxides of B, Al, Si, P, Ti, Zn, Ga, Ge, As, Se, Zr, In, Sn and Ta from a gas stream containing the harmful component, which com

이 특허에 인용된 특허 (11)

  1. Teller Aaron Joseph (Westboro MA), Abatement of high concentrations of acid gas emissions.
  2. Kitayama Masayasu (Kawasaki JPX) Sugimori Yoshiaki (Tokyo JPX) Ohta Schunich (Fujisawa JPX), Absorbent for treating gases containing the materials used for semiconductor products and process of treating such gases.
  3. Kitayama Masayasu (Kawasaki JPX) Sugimori Yoshiaki (Tokyo JPX) Ohta Schunich (Fujisawa JPX), Absorbent for treating gases containing the materials used for semiconductor products and process of treating such gases.
  4. Smith James R. (Bristol GBX) Timms Peter L. (Bristol GBX), Dry exhaust gas conditioning.
  5. Smith James R. (Somerset GBX) Timms Peter L. (Bristol GBX), Dry exhaust gas conditioning.
  6. Kitagawa Hiroshi (Takaishi JPX) Onodera Teruyuki (Takaishi JPX) Fukushima Toshiyuki (Izumi JPX) Hayashi Yoriyuki (Shimonoseki JPX), Method of removing arsenic in hydrocarbons.
  7. Tom Glenn M. (New Milford CT) Brown Duncan W. (Wilton CT), Process and composition for drying of gaseous hydrogen halides.
  8. Shimada Takashi (Hiratsuka JPX) Okumura Toshio (Hiratsuka JPX) Hatakeyama Toshiya (Hiratsuka JPX), Process for cleaning harmful gas.
  9. Tom Glenn M. (New Milford CT) McManus James V. (Danbury CT), Process for purifying semiconductor process gases to remove lewis acid and oxidant impurities therefrom.
  10. Audeh Costandi A. (Princeton NJ) Hoffman Barry E. (Duncanville TX), Simultaneous dehydration and removal of residual impurities from gaseous hydrocarbons.
  11. Denny Patrick J. (Darlington GB2) Wood Peter (Stockton-on-Tees GB2), Sulphur compounds removal.

이 특허를 인용한 특허 (12)

  1. Kenji Otsuka JP; Yutaka Amijima JP; Ryuji Hasemi JP; Youji Nawa JP, Cleaning agent and cleaning process of harmful gas.
  2. Holst, Mark; Carpenter, Kent; Lane, Scott; Arya, Prakash V., Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases.
  3. Teter,David M.; Brady,Patrick V.; Krumhansl,James L., Inorganic ion sorbent method.
  4. Teter,David M.; Brady,Patrick V.; Krumhansl,James L., Inorganic ion sorbents.
  5. Hayes, Michael W.; Holst, Mark R.; Arno, Jose I.; Tom, Glenn M., Integrated ion implant scrubber system.
  6. Michael W. Hayes ; Mark R. Holst ; Jose I. Arno, Integrated ion implant scrubber system.
  7. Sweeney, Joseph D.; Marganski, Paul J.; Olander, W. Karl; Wang, Luping, Method and apparatus for the abatement of toxic gas components from a semiconductor manufacturing process effluent stream.
  8. Sweeney,Joseph D.; Marganski,Paul J.; Olander,W. Karl, Method and apparatus for the abatement of toxic gas components from a semiconductor manufacturing process effluent stream.
  9. Derek Martin Baker GB, Semiconductor processing exhaust abatement.
  10. Shioya,Yasushi; Yatsuda,Masanori; Takachi,Minoru; Wada,Hiroshi, Treating agent for exhaust gas containing metal hydride compound and method for treating exhaust gas containing metal hydride compound.
  11. Teshigawara,Satoshi; Takachi,Minoru; Matsuda,Yoshihiro; Shibano,Hidetaka; Tomiyama,Yoshiyuki, Treating agent for metal-hydride-containing exhaust gas and method of preparing the same as well as method of treating metal-hydride-containing exhaust gas.
  12. Dornfest Charles ; Zhao Jun ; Ku Vincent ; Tang Po ; Sajoto Talex ; Chang Frank, Vaporization apparatus and process.
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로