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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0926498 (1997-09-10) |
우선권정보 | JP-0146004 (1994-06-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 82 인용 특허 : 2 |
A field-effect transistor using a conjugated oligomer having an ionization potential of 4.8 eV or above in the semiconductor layer thereof works stably and has a long life-time and can be used in a liquid crystal display device as a switching element to give excellent contrast and good performances.
[ What is claimed is:] [8.] A process for producing a field-effect transistor comprising patterning a semiconductor layer constituted of a conjugated oligomer having an ionization potential of 4.8 eV or above through a partial conversion of the semiconductor layer to an insulating material by the me
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