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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0006431 (1998-01-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 139 인용 특허 : 5 |
A low temperature method for preparing GaN single crystals for use, for example, for blue light emitting diodes and laser diodes, comprises using sodium as a flux in a reaction system containing only gallium, sodium and nitrogen, e.g., by thermally decomposing sodium azide in a closed reaction zone
[ What is claimed is:] [1.] A method for preparing GaN single crystals which comprises reacting gallium and nitrogen in a sodium flux in a reaction system containing only gallium, sodium, and nitrogen, optionally in the presence of a catalytic amount of an alkaline earth metal.
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