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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0724575 (1996-09-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 8 |
A zener diode capable of breakdown at much higher voltages than in the prior art is fabricated by providing a semiconductor substrate of a first conductivity type having an opposite conductivity type first tank disposed therein. The first tank includes relatively lower and relatively higher resistiv
[ We claim:] [1.] A zener diode, comprising:a semiconductor substrate of first conductivity type and having a surface;a first tank of second conductivity type, opposite to said first conductivity type, disposed in said substrate; said tank including a relatively higher voltage portion and a relative
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