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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0931760 (1997-09-16) |
우선권정보 | JP-0256874 (1996-09-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 5 |
A process for producing trichlorosilane by reacting silicon with hydrogen chloride, which comprises bringing at least one silane compound selected from the group consisting of dichlorosilane, monochlorosilane and monosilane into contact with silicon during or prior to a reaction between silicon and
[ What is claimed is:] [1.] A process for producing trichlorosilane by reacting silicon with hydrogen chloride, the process comprising bringing at least one silane compound selected from the group consisting of dichlorosilane, monochlorosilane and monosilane into contact with silicon during or prior
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