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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0911912 (1997-08-15) |
우선권정보 | JP-0036616 (1994-02-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 121 인용 특허 : 3 |
A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device has a crystalline silicon film as an active layer region. The crystalline silicon film has needle-like or columnar crystals oriented parallel to the substrate and having a crystal growth direction of (111) axis. A method for preparing the
[ What is claimed is:] [1.] A method of preparing a semiconductor comprising:a step of introducing a catalytic element which promotes crystallization on one surface of an amorphous silicon film;a step of crystallizing part of the amorphous silicon film by heat treatment; anda step of irradiating a l
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