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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0963520 (1997-11-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 8 |
An at-least dual chamber apparatus and method in which high flux beams of fast moving neutral reactive species are created, collimated and used to etch semiconductor or metal materials from the surface of a workpiece. Beams including halogen atoms are preferably used to achieve anisotropic etching w
[ We claim:] [1.] A method of etching a surface of a semiconductor workpiece using a collimated beam of neutral reactive species comprising the steps of:introducing a precursor gas comprising a halogen, a halogen-containing gas or a mixture of these gases to a nozzle in a first chamber in a pulsed f
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