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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0081399 (1998-05-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 7 |
The inventive SRAM cell has a poly-load resistor which comprises a thick supply voltage (Vcc) interconnect, a thick driver interconnect on a thin load resistance region which is electrically connected to both interconnects. The novel poly-load resistor overcomes the problem of lateral diffusion from
[ We claim:] [1.] A method for forming a load resistance for an SRAM cell comprising the steps of:(a) depositing an inter-poly-dielectric layer over a MOS driver device formed on a semiconductor substrate, and patterning said inter-poly-dielectric layer to form one or more via openings therein,(b) d
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