[특허]Method for forming semiconductor microstructure, semiconductor device fabricated using this method, method for fabricat

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Method for forming semiconductor microstructure, semiconductor device fabricated using this method, method for fabricat 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/20
출원번호	US-0808580 (1997-02-28)
우선권정보	JP-0044492 (1996-03-01)
발명자 / 주소	Yuki Koichiro,JPX Morita Kiyoyuki,JPX Morimoto Kiyoshi,JPX Hirai Yoshihiko,JPX
출원인 / 주소	Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., JPX
대리인 / 주소	Ratner & Prestia
인용정보	피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 8

초록 ▼

The method for forming a semiconductor microstructure of this invention includes the steps of: forming a mask pattern having a first opening and a second opening on a substrate having a semiconductor layer as an upper portion thereof; and selectively etching the semiconductor layer using the mask pattern to form a semiconductor microstructure extending in a first direction parallel to a surface of the substrate, wherein, in the step of selectively etching the semiconductor layer, an etching rate in a second direction vertical to the first direction and parallel to the surface of the substrate is substantially zero with respect to an etching rate in the first direction, and a width of the semiconductor microstructure is substantially equal to a shortest distance between the first opening and the second opening in the second direction.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A method for forming a semiconductor microstructure, comprising the steps of:forming a mask pattern having a first opening and a second opening on a substrate having a semiconductor layer as an upper portion thereof; andselectively etching the semiconductor layer using the mask pattern to form a semiconductor microstructure extending in a first direction parallel to a surface of the substrate,wherein, in the step of selectively etching the semiconductor layer, an etching rate in a second direction vertical to the first direction and parallel to the surface of the substrate is substantially zero with respect to an etching rate in the first direction, anda width of the semiconductor microstructure is substantially equal to a shortest distance between the first opening and the second opening in the second direction.

이 특허에 인용된 특허 (8)

Hirai Yoshihiko (Osaka JPX) Morimoto Kiyoshi (Neyagawa JPX) Terui Yasuaki (Neyagawa JPX) Niwa Masaaki (Hirakata JPX) Yasui Juro (Toyonaka JPX) Okada Kenji (Suita JPX) Udagawa Masaharu (Tokyo JPX) Yuk, Electrically insulated silicon structure and producing method therefor.
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Yen Yung-Chau (San Jose CA), Metallization technique for integrated circuit structures.
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Lee Hae-Gwon (Daejeon KRX) Lee Jae-Jin (Daejeon KRX) Kim Bo-Woo (Daejeon KRX), Method for fabricating quantum wire laser diode.
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Kanazawa Kunihiko (Toyonaka JPX) Kazumura Masaru (Takatsuki JPX), Method for manufacturing a perpendicular sidewalled metal layer on a substrate.
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Yuki Koichiro (Neyagawa JPX) Hirai Yoshihiko (Osaka JPX) Morimoto Koyoshi (Neyagawa JPX) Niwa Masaaki (Hirakata JPX) Yasui Juro (Toyonaka JPX) Okada Kenji (Suita JPX) Udagawa Masaharu (Tokyo JPX), Method for producing quantization functional device utilizing a resonance tunneling effect.
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Okada Kenji (Suita JPX) Terui Yasuaki (Neyagawa JPX) Yasui Juro (Toyonaka JPX) Hirai Yoshihiko (Osaka JPX) Niwa Masaaki (Hirakata JPX) Wada Atsuo (Suita JPX) Morimoto Kiyoshi (Neyagawa JPX), Method of fabricating a quantum device.
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Seabaugh Alan C. (Richardson TX) Hosack Harold H. (Dallas TX), Method of forming implanted silicon resonant tunneling barriers.
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Takahashi Takahiko (Tokyo JPX) Itoh Funikazu (Fujisawa JPX) Shimase Akira (Yokohama JPX) Yamaguchi HIroshi (Fujisawa JPX) Hongo Mikio (Yokohama JPX) Haraichi Satoshi (Yokohama JPX), Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same.
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이 특허를 인용한 특허 (2)

Morita Kiyoyuki,JPX ; Morimoto Kiyoshi,JPX ; Yuki Koichiro,JPX ; Araki Kiyoshi,JPX, Semiconductor device and method of manufacturing the same.
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Kato, Takahisa; Shimada, Yasuhiro, Silicon processing method and silicon substrate with etching mask.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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