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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0703816 (1996-08-27) |
우선권정보 | KR-0027603 (1995-08-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 2 |
The present invention provides a process for preparing SOI wafer, more specifically, a process for preparing a large-sized SOI wafer of high quality of crystallization employing an apparatus for the manufacture of the SOI wafer in a simple and efficient manner. The apparatus for the manufacture of S
[ What is claimed is:] [1.] A process for preparing a SOI wafer which comprises the steps of:(i) preparing a molten silicon by heating polycrystalline silicon filled in a heat-resistant container over 1400.degree. C. by the aid of heating means;(ii) growing a thin single crystalline film by moving d
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