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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0570051 (1995-12-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 35 인용 특허 : 6 |
A packaging for high-power devices such as Insulated Gate Bipolar Transistors includes a direct bonded copper substrate (DBC), such as beryllium oxide (BeO), soldered directly to a heat generating surface of the high-power device. The direct bonded copper substrate (DBC) is, in turn, soldered direct
[ I claim:] [1.] A packaging for an electronic device comprising:at least one electronic device having a heat generating surface;a direct bonded copper substrate having a first surface lying on a substrate portion of said direct bonded copper substrate;a heat sink in thermal contact with a second su
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