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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0912067 (1997-08-15) |
우선권정보 | JP-0229130 (1996-08-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 32 인용 특허 : 2 |
A semiconductor device includes (a) a semiconductor substrate, (b) a first interlayer insulating film formed on the semiconductor substrate, (c) a wiring layer having a thickness T and a width W1 greater than the thickness T formed on the first interlayer insulating film, the wiring layer being divi
[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor device comprising:(a) a semiconductor substrate;(b) a diffusion layer formed in said semiconductor substrate and having electrical conductivity opposite to that of said semiconductor substrate;(c) a first interlayer insulating film formed on said semicondu
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