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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0960929 (1997-10-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 3 |
Processes are disclosed for performing non-microwave, non-arcjet plasma-assisted chemical vapor deposition of diamond in which substantially no particles impact the growing diamond surface with energies sufficient to prevent the growth of diamond. The energies of the particles are limited by selecti
[ What is claimed is:] [1.] A method for performing non-microwave, non-arcjet, plasma-assisted chemical vapor deposition of diamond in which substantially no particles impact a growing diamond surface with energies sufficient to prevent the growth of diamond.
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