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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0381170 (1995-01-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 15 |
This invention discloses a method of fabricating an electroexplosive device which utilizes a semiconductor bridge as an ignition element. The semiconductor bridge is electrically connected to a metal header by a small, low resistance contact to the extension of bridge material and through an insulat
[ We claim:] [1.] A semiconductor bridge die assembly, comprising:an insulating substrate having a top and a bottom;a semiconductor bridge in a portion of the substrate and first and second spaced apart contact pads in a top portion of the substrate;a first conducting layer which wraps around the su
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