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Alternative process for BPTEOS/BPSG layer formation

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/26
  • H01L-021/31
출원번호 US-0748815 (1996-11-14)
발명자 / 주소
  • Hossain Tim Z.
  • Crawford
  • Jr. Franklin D.
  • Tiffin Don A.
출원인 / 주소
  • Advanced Micro Devices, Inc.
대리인 / 주소
    Conley, Rose & TayonDaffer
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 8

초록

An interlevel dielectric and a method for making same wherein boron is introduced into the dielectric though an implantation process. During the implantation process, either the boron-10 or the boron-11 boron isotope may be selected and introduced into the dielectric. Boron is introduced to make the

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] A process for forming an interlevel dielectric layer comprising:providing a semiconductor substrate;forming a device upon said semiconductor substrate;forming a TEOS dielectric layer upon said device and said semiconductor substrate; andimplanting boron into said TEOS die

이 특허에 인용된 특허 (8)

  1. Baumann Robert C. (Dallas TX) Hossain Timothy Z. (Ithaca NY), Electronic device achieving a reduction in alpha particle emissions from boron-based compounds essentially free of boron.
  2. Baumann Robert C. (Dallas TX) Hossain Timothy Z. (Ithaca NY), Electronic device and process achieving a reduction in alpha particle emissions from boron-based compounds essentially f.
  3. Hill ; III E. Richard (Berkely CA) Davis Glenn (Sunnyvale CA) Farley Brian (Los Altos CA), Guide wire migration controller.
  4. Bright Nicholas (Southwater GB2) Burgin David R. (Horsham GB2) Morgan Timothy G. (Pinner GB2) Lowrie Craig J. (Horsham GB2) Ito Hiroyuki (Horsham GB2), Improved ion implantation using a variable mass resolving system.
  5. Yang Fu-Liang (Tainan TWX), Method for fabricating planarized borophosphosilicate glass films having low anneal temperatures.
  6. Sheu Shing-Ren (Tau-Yuan City TWX) Hsue Chen-Chiu (Hsin-chu TWX) Chung Chen-Hui (Hsin-chu TWX), Method of implanting during manufacture of ROM device.
  7. Douglas Monte A. (Dallas TX) Bonifield Thomas D. (Dallas TX), Oxide etch.
  8. Evans David R. (Aloha OR) Flores James S. (Beaverton OR) Dottarar Susan S. (Beaverton OR), Self-aligned internal mobile ion getter for multi-layer metallization on integrated circuits.

이 특허를 인용한 특허 (12)

  1. Williams,James M., Boron ion delivery system.
  2. Hossain, Timothy Z.; Clopton, Patrick Mark; Foster, Christopher; Lyons, Christopher F.; Fulwood, Clayton; Goodwin, Greg Alan; Posey, Dan E., Charge storage device for detecting alpha particles.
  3. Cauley, Jr., Dennis W.; Gianladis, James; Birk, Adam J.; Kinamore, Matthew; Poehlman, Michael, Firearm shooting rest.
  4. Gianladis, James; Cottrell, Michael; Poehlman, Michael; Birk, Adam J.; Cauley, Dennis, Gun support apparatus.
  5. Hossain, Timothy Z.; Clopton, Patrick Mark; Fullwood, Clayton; Posey, Dan E., Imaging device having a radiation detecting structure sensitive to neutron radiation.
  6. Jin,Seung Woo; Lee,Min Yong; Rouh,Kyoung Bong, Method for manufacturing a semiconductor device.
  7. Deviprasad Malladi, Method for reducing soft error rates in semiconductor devices.
  8. Wang Brian,TWX ; Hsu Chih-Ching,TWX, Method of planarizing dielectric layer.
  9. August,Robert A.; Hughes,Harold L.; McMarr,Patrick J.; Whitlock,Robert R., Neutron detection device and method of manufacture.
  10. Shigeo Chishiki JP, Semiconductor device and manufacturing method thereof.
  11. Morrow, Tim; Potterfield, Larry; Potterfield, Russell A.; Zara, Robert Joseph; Cauley, Dennis, Shooting rests for supporting firearms.
  12. Peng, Tai-Yen, Structure and formation method of damascene structure.
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