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특허 상세정보

Switching device with power FET and short-circuit detection

국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H02H-003/08   
미국특허분류(USC) 307/131 ; 360/093 ; 340/650
출원번호 US-0853709 (1997-05-09)
우선권정보 DE-0019120 (1996-05-11)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Fasse
인용정보 피인용 횟수 : 15  인용 특허 : 5
초록

A circuit arrangement protects an FET power switch against damage from short circuits that may occur in the load connected between the drain terminal and an operating voltage source of the FET. The protection is achieved by the cooperation between a shunt resistor (3) connected between ground and the source terminal (S) of the FET and a gate voltage limiter (7) connected to the gate terminal of the FET. This cooperation limits the short circuit current through the FET until a short circuit detector (DT) provides a control signal that switches the FET off...

대표
청구항

[ I claim:] [1.] A circuit arrangement for protecting against an overload an FET power switch (1) having a drain terminal (D), a source terminal (S), and a gate terminal (G), comprising a load (5) connected to said drain terminal (D) and to an operating voltage source (U.sub.B), a short circuit detector (DT) having an input connected to said source terminal (S), a microcontroller (9A) for controlling said FET power switch (1), said short circuit detector (DT) having an output (INT) connected to a control input of said microcontroller (9A) for supplying a...