최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0853709 (1997-05-09) |
우선권정보 | DE-0019120 (1996-05-11) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 5 |
A circuit arrangement protects an FET power switch against damage from short circuits that may occur in the load connected between the drain terminal and an operating voltage source of the FET. The protection is achieved by the cooperation between a shunt resistor (3) connected between ground and th
[ I claim:] [1.] A circuit arrangement for protecting against an overload an FET power switch (1) having a drain terminal (D), a source terminal (S), and a gate terminal (G), comprising a load (5) connected to said drain terminal (D) and to an operating voltage source (U.sub.B), a short circuit dete
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.