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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0921293 (1997-08-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 88 인용 특허 : 3 |
A method for forming semiconductor device (1) that includes providing a substrate (10) having a metal interconnect (12), depositing a via interlevel dielectric (ILD) layer (20) over the substrate (10) and the metal interconnect (12), etching the via ILD layer (20) to form a via (30) over the metal i
[ What is claimed is:] [1.] A method for forming a semiconductor device comprising the steps of:providing a substrate having a metal interconnect;depositing a via interlevel dielectric layer over the substrate and the metal interconnect;etching the via interlevel dielectric layer to form a via over
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