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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0801328 (1997-02-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 10 |
A low dielectric constant (k) polymer is used for an interlayer dielectric (28) of a semiconductor device (20). Unlike prior art low k polymer materials, a photoresist layer can be deposted directly on interlayer dielectric (28) due to the presence of an in-situ glass layer (32) formed within the in
[ I claim:] [1.] A process for forming a semiconductor device comprising the steps of:providing a substrate;depositing a polymer over the substrate to form an interlayer dielectric, the polymer having a dielectric constant less than 3.5, the interlayer dielectric having a top surface;forming a silyl
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