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특허 상세정보

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Method of laser ablation of semiconductor structures

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/00   
미국특허분류(USC) 438/690 ; 438/707 ; 438/742
출원번호 US-0955220 (1997-10-21)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Workman, Nydegger & Seeley
인용정보 피인용 횟수 : 10  인용 특허 : 14
초록
▼

Disclosed is a process for exposing a metal-containing surface feature on an integrated circuit wafer by laser ablation. According to the invention, a silicon dioxide passivation layer is provided upon the surface feature. The silicon dioxide layer is transparent to electromagnetic radiation having a specified wavelength, such that the electromagnetic radiation is directed through the silicon dioxide layer onto the underlying surface feature. A portion of the surface feature is ablated. Ablation of the surface feature causes removal of an overlying porti...

대표
청구항
▼

[ What is claimed and desired to be secured by United States Letters Patent is:] [1.] A process for exposing a surface on a diffusion barrier layer, said process comprising:providing a semiconductor substrate;providing a diffusion barrier layer upon said semiconductor substrate;providing a silicon dioxide layer upon said diffusion barrier layer, said silicon dioxide layer being substantially transparent to electromagnetic radiation having a selected wavelength; andlaser ablating a portion of said diffusion barrier layer by directing electromagnetic radia...

이 특허에 인용된 특허 (14)

  1. Vinci Alfredo (Dayton NJ) Cummings Kenneth R. (Skillman NJ) Lajoie M. Stephen (Basking Ridge NJ). Batch process for fatty acid alkaline earth metal salt production. USP1995015382678.
  2. Cole Barrett E. (Bloomington MN) Fritz Bernard S. (Eagan MN) Horning Robert D. (Burnsville MN). Fabry-Perot micro filter-detector. USP1996085550373.
  3. Brassington Michael P. (Sunnyvale CA) Papaliolios Andreas G. (Sunnyvale CA). Ferroelectric memory cell arrangement having a split capacitor plate structure. USP1994095350705.
  4. Cole Herbert S. (Scotia NY) Wojnarowski Robert J. (Ballston Lake NY). Laser ablatable polymer dielectrics and methods. USP1992125169678.
  5. Safai Sohrab (Round Rock TX) Przano Michael C. (Pflugerville TX). Lead-on-chip semiconductor device and method for its fabrication. USP1996115572066.
  6. Burns Francis C. (Apalachin NY) Lewis Robert L. (Apalachin NY) Opie Steven W. (Endicott NY) Sebesta Robert D. (Endicott NY). Method employing laser ablating for providing a pattern on a substrate. USP1996045505320.
  7. Conru H. Ward (Essex Junction VT) Irish Gary H. (Jericho VT) Pakulski Francis J. (Shelburne VT) Slattery William J. (Essex Junction VT) Starr Stephen G. (Essex Junction VT) Ward William C. (Burlingto. Method of making a planarized thin film covered wire bonded semiconductor package. USP1992025086018.
  8. Mu Xiao-Chun (Saratoga CA) Sivaram Srinivasan (San Jose CA) Gardner Donald S. (Mountain View CA) Fraser David B. (Danville CA). Methods of forming an interconnect on a semiconductor substrate. USP1997035612254.
  9. Arjavalingam Gnanalingam (Yorktown Heights NY) Deutsch Alina (Chappaqua NY) Doany Fuad E. (Katonah NY) Furman Bruce K. (Beacon NY) Hunt Donald J. (Pine Bush NY) Narayan Chandrasekhar (Hopewell Juncti. Multi-layer thin film structure and parallel processing method for fabricating same. USP1993115258236.
  10. Ahmad Umar M. U. (Hopewell Junction NY) Bhatia Harsaran S. (Hopewell Junction NY) Bhatia Satya P. S. (Wappingers Falls NY) Dalal Hormazdyar M. (Milton NY) Price William H. (Courtland Manor NY) Purush. Process for corrosion free multi-layer metal conductors. USP1995065427983.
  11. Wei Ching Y. (Niskayuna NY) Liu Jianqiang (Clifton Park NY) Salisbury Roger S. (Niskayuna NY) Kwasnick Robert F. (Schenectady NY) Possin George E. (Niskayuna NY) Albagli Douglas (Clifotn Park NY). Repair method for low noise metal lines in thin film imager devices. USP1997045616524.
  12. Pan Ju-Don T. (Saratoga CA). Rework of polymeric dielectric electrical interconnect by laser photoablation. USP1993085236551.
  13. Boss David W. (Beacon NY) Carr Timothy W. (Hopewell Junction NY) Dubetsky Derry J. (Wappingers Falls NY) Greenstein George M. (Hopewell Junction NY) Grobman Warren D. (Carmel NY) Hayunga Carl P. (Pou. Sealing and stress relief layers and use thereof. USP1989114880684.
  14. Kudo Jun (Nara JPX) Ashida Tsutomu (Yamatokoriyama JPX). Semiconductor memory device with redundancy structure and process of repairing same. USP1993125272671.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 10

  1. Huang, Mingxian; Rothwarf, David; Xu, Jia; Wang, Xiaobo; Wu, Lei; Guia, Antonio. Biochips including ion transport detecting structures and methods of use. USP2010057723029.
  2. Wang, Xiaobo; Wu, Lei; Xu, Jun Quan; Huang, Ming Xiang; Yang, Weiping; Cheng, Jing; Xu, Jia. Biochips including ion transport detecting structures and methods of use. USP2011067968305.
  3. Chung, Kevin Kwong-Tai. Carrier tape. USP2005096938783.
  4. Donald J. Hayes ; David B. Wallace ; Christopher J. Frederickson. Flexible apparatus with ablation formed chamber(s) for conducting bio-chemical analyses. USP2002016334980.
  5. Guia, Antonio; Walker, George; Xu, Jia; Yuan, Julian; Wu, Lei; Huang, Mingxian. High-density ion transport measurement biochip devices and methods. USP2015099146221.
  6. Farooq, Mukta G.; Melville, Ian D.; Petrarca, Kevin S.; Rodbell, Kenneth P.. Ionizing radiation blocking in IC chip to reduce soft errors. USP2015048999764.
  7. Laermer, Franz; Mueller, Lutz; Bernhard, Winfried. Layer system comprising a silicon layer and a passivation layer, method for production a passivation layer on a silicon layer and the use of said system and method. USP2011017872333.
  8. Thomas Adam Bartush ; David Louis Harame ; John Chester Malinowski ; Dawn Tudryn Piciacchio ; Christopher Lee Tessler ; Richard Paul Volant. Modular high frequency integrated circuit structure. USP2002076413868.
  9. Eisele, Pete John; Hart, Brian Christopher; Maher, Colin Geoffrey. Removal of debris from laser ablated nozzle plates. USP2003016512198.
  10. Ichinose Michihiko,JPX. Semiconductor device with adhesive tape not overlapping an opening in the uppermost surface of the semiconductor element surface. USP2001046215169.

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