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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0561124 (1995-11-20) |
우선권정보 | JP-0287698 (1994-11-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 5 |
An undoped Al.sub.0.22 Ga.sub.0.78 As spacer layer having a large forbidden bandgap and an N-Al.sub.0.22 Ga.sub.0.78 As electron-supplying layer having a large forbidden bandgap are formed in order on an undoped GaAs buffer layer having a small forbidden bandgap, and InAs quantum boxes are provided
[ We claim:] [1.] A semiconductor device, comprising:a channel region in which electrons drift; anda quantum box provided in a position separated from said channel region, with a potential barrier interposed therebetween, for accumulating an electron, there being no potential barrier in said channel
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