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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0840439 (1997-03-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 13 |
A method of stabilizing chemical vapor deposited titanium nitride layers so that they can withstand a subsequent high temperature deposition of aluminum which comprises heating said film in nitrogen containing from about 3-15% by volume of oxygen. When aluminum is deposited over the treated titanium
[ We claim:] [1.] A method of forming a chemical vapor deposited titanium nitride layer that has a stable sheet resistance to a temperature over about 400.degree. C. which comprisesdepositing a titanium nitride film from an organo-metallo titanium compound, andannealing said film in nitrogen contain
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