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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0071418 (1998-05-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 8 |
A first embodiment of the present invention introduces a method to cure mobile ion contamination in a semiconductor device during semiconductor processing by the steps of: forming active field effect transistors in a starting substrate; forming a first insulating layer over the field effect transist
[ What is claimed is:] [1.] A method of making a memory device on a semiconductor substrate comprising the steps of:forming a memory storage cell comprising:a transistor having gate, source and drain electrodes, said transistor comprising said substrate, at least one storage capacitor having a stora
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