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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0829449 (1997-03-28) |
우선권정보 | JP-0103581 (1996-03-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 34 인용 특허 : 9 |
In a method of producing single crystals on a seed crystal, the seed crystal is covered by a protection layer except for a surface on which the single crystals are to be formed. The protection layer is made of material such as carbon or the like, which is stable in a step of forming the single cryst
[ What is claimed is:] [1.] A method of producing single crystals on a seed crystal, comprising steps of:forming a protection layer on an opposite surface with respect to a growth surface of the seed crystal on which the single crystals are to be formed; andsupplying a source gas of the single cryst
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