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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0616884 (1996-03-18) |
우선권정보 | JP-0209183 (1995-07-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 69 인용 특허 : 3 |
An emission layer (5) for a light source device is formed to have a multi-layer structure, doped with an acceptor and a donor impurity. The multi-layer structure may include a quantum well (QW) structure or a multi quantum well (MQW) structure (50). With such a structure, a peak wavelength of the li
[ What is claimed is:] [1.] A group III nitride compound semiconductor light-emitting device comprising:an emission layer doped with both an acceptor impurity and a donor impurity; said emission layer comprising a multi-layer structure having a layer doped with said acceptor impurity and a layer dop
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