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특허 상세정보

Short circuit protection for parallel connected devices

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H03K-017/72   
미국특허분류(USC) 327/442 ; 327/324 ; 327/434 ; 327/440
출원번호 US-0890638 (1997-07-14)
우선권정보 DE-0028131 (1996-07-12)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Morrison Law Firm
인용정보 피인용 횟수 : 29  인용 특허 : 2
초록

A power semiconductor circuit provides a simple gate drive for switch components for the use in parallel-connected half-bridges, taking into consideration a gate voltage limitation to achieve short-circuit resistance. The circuit consists of drive circuits and main power circuits. The present invention contributes to solving the problems of the influence of the main power circuit on the drive circuit. According to the invention, switching transistors connected in parallel to the driver through separate activation and deactivation resistors, the former of...

대표
청구항

[ What is claimed is:] [1.] A power semi-conductor circuit comprising:a driver having an activation and deactivation output; anda plurality of parallel connected switching circuits, each said switching circuit having:a switching transistor having a gate, emitter and collector,said emitter being connected to emitters of all other said switching circuits,said collector being connected to collectors of all other said switching circuits,an activation resistor connected between said gate and a cathode of a first diode, said first diode having an anode connect...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 29

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  4. Ishikawa, Katsumi; Ogawa, Kazutoshi; Nagasu, Masahiro. Drive circuit of semiconductor device. USP2013068471622.
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