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Method for testing frequency response characteristics of laser displacement/vibration meters 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G01B-021/00
  • G01B-009/02
  • G01N-029/00
출원번호 US-0698460 (1996-08-15)
우선권정보 JP-0210704 (1995-08-18)
발명자 / 주소
  • Umeda Akira,JPX
출원인 / 주소
  • Director-General of the Agency of Industrial Science and Technology, JPX
대리인 / 주소
    Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 18  인용 특허 : 5

초록

A method of testing frequency characteristics of a laser displacement/vibration meter by the use of a novel method which can cope with a broader frequency range and finer micro-level displacements to enhance the reliability of the displacement/vibration meter. Upon applying impact on one end face of

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] A method for testing frequency response characteristics of one of a laser displacement meter or a laser vibration meter, comprising the steps of:applying impact on one end face of a round metal rod to produce an elastic wave pulse propagating toward the other end of said

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Hasegawa Osamu (Chofu JPX) Andoh Hisashi (Chofu JPX) Satoh Kohichi (Chofu JPX) Miura Youji (Chofu JPX) Shirota Keinosuke (Chofu JPX), Centrifugal type acceleration measuring device.
  2. Layton Michael R. (Clayton CA) Bunn ; Jr. James S. (Malibu CA), Interferometer calibration for fiber optic sensor arrays.
  3. Umeda Akira (Tsukuba) Ueda Kazunaga (Tsukuba JPX), Method and apparatus for measuring dynamic response characteristics of shock accelerometer.
  4. Monchalin Jean-Pierre (Montreal CAX), Optical interferometric reception of ultrasonic energy.
  5. Nussmeier Thomas A. (Thousand Oaks CA), Self-calibrating interferometer.

이 특허를 인용한 특허 (18)

  1. Umeda,Akira, Calibration evaluation method and device for acceleration sensor.
  2. Murakami, Satoshi; Hirakata, Yoshiharu; Fujimoto, Etsuko; Yamazaki, Yu; Yamazaki, Shunpei, Capacitor, semiconductor device and manufacturing method thereof.
  3. Hirakata, Yoshiharu; Nishi, Takeshi; Yamazaki, Shunpei, Electro-optical device.
  4. Umeda,Akira, Frequency characteristics measuring method and device for acceleration sensor.
  5. Hirakata, Yoshiharu; Nishi, Takeshi; Yamazaki, Shunpei, Liquid crystal display device having a gap retaining member made of resin formed directly over the driver circuit.
  6. Umeda,Akira, Method and apparatus for measuring frequency characteristics of acceleration sensor.
  7. Umeda,Akira, Method and device for measuring dynamic linearity of acceleration sensor.
  8. Yamazaki, Shunpei; Arai, Yasuyuki; Koyama, Jun, Semiconductor device and fabrication method thereof.
  9. Yamazaki, Shunpei; Arai, Yasuyuki; Koyama, Jun, Semiconductor device and fabrication method thereof.
  10. Yamazaki, Shunpei; Arai, Yasuyuki; Koyama, Jun, Semiconductor device and fabrication method thereof.
  11. Hirakata, Yoshiharu; Goto, Yuugo; Kobayashi, Yuko; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and method of fabricating the same.
  12. Hirakata, Yoshiharu; Goto, Yuugo; Kobayashi, Yuko; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and method of fabricating the same.
  13. Hirakata, Yoshiharu; Goto, Yuugo; Kobayashi, Yuko; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and method of fabricating the same.
  14. Hirakata, Yoshiharu; Goto, Yuugo; Kobayashi, Yuko; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and method of fabricating the same.
  15. Hirakata, Yoshiharu; Goto, Yuugo; Kobayashi, Yuko; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and method of fabricating the same.
  16. Hirakata, Yoshiharu; Goto, Yuugo; Kobayashi, Yuko; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and method of fabricating the same.
  17. Hirakata,Yoshiharu; Goto,Yuugo; Kobayashi,Yuko; Yamazaki,Shunpei, Semiconductor device and method of fabricating the same.
  18. Yamazaki, Shunpei; Arai, Yasuyuki; Koyama, Jun, Semiconductor device comprising a pixel unit including an auxiliary capacitor.
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