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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0659166 (1996-06-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 97 인용 특허 : 25 |
A fabrication process that produces an air gap dielectric in which a multi-level interconnect structure is formed upon a temporary supporting material. The temporary material is subsequently dissolved away leaving behind an intralevel and an interlevel dielectric comprised of air. In one embodiment
[ What is claimed is:] [1.] A method of fabricating interconnect levels on a semiconductor substrate comprising:forming a barrier layer on said substrate;forming a first interconnect level on said barrier layer wherein said first interconnect level comprises a plurality of substantially coplanar fir
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