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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0893361 (1997-07-15) |
우선권정보 | JP-0048535 (1993-02-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 165 인용 특허 : 66 |
Method of fabricating semiconductor devices such as thin-film transistors by annealing a substantially amorphous silicon film at a temperature either lower than normal crystallization temperature of amorphous silicon or lower than the glass transition point of the substrate so as to crystallize the
[ What is claimed is:] [1.] A method of manufacturing a semiconductor device comprising the steps of:disposing a catalyst material in contact with a semiconductor film to be crystallized;crystallizing said semiconductor film by heating wherein said catalyst material functions to promote the crystall
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