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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0573171 (1995-12-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 18 |
A process for dry etching a passivation layer (42) of a semiconductor device is performed such that a low radio frequency (RF) power step is used when an underlying bond pad (22) is initially exposed and a high RF power step is used after the initial exposure. The process virtually eliminates or red
[ We claim:] [1.] A process for forming a semiconductor device comprising the steps of:forming a bond pad including a first bond pad film and a nitride film overlying the first bond pad film over a substrate;forming a passivation layer over the bond pad;forming a patterned resist layer over the pass
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