[특허]Method of producing silicon carbide single crystal

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C30B-029/36
출원번호	US-0820888 (1997-03-21)
우선권정보	JP-0103719 (1996-03-29)
발명자 / 주소	Sugiyama Naohiro,JPX Okamoto Atsuto,JPX Tani Toshihiko,JPX Kamiya Nobuo,JPX
출원인 / 주소	Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho, JPX
대리인 / 주소	Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C.
인용정보	피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 3

초록 ▼

An easy and low-cost method of producing a large-size and high-purity silicon carbide (SiC) single crystal includes reacting silicon vapor directly with a carbon-containing compound gas under a heated atmosphere (growth space 14) to grow a silicon carbide single crystal (15) on a silicon carbide seed crystal (12), in which the silicon vapor generated from molten silicon (13) is used as a silicon vapor source, and a hydrocarbon gas (9) (e.g., propane gas) is used as the carbon-containing compound gas.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A method of producing a silicon carbide single crystal comprising the step of:generating silicon vapor from molten silicon; andreacting the silicon vapor directly with a carbon-containing compound gas under a heated atmosphere to grow a silicon carbide single crystal on a

이 특허에 인용된 특허 (3)

Eshita Takashi (Inagi JPX) Mieno Fumitake (Kawasaki JPX) Furumura Yuji (Kawasaki JPX) Itoh Kikuo (Yokohama JPX), Method of growing a single crystalline b 상세보기

Addamiano Arrigo (Alexandria VA) Klein Philipp H. (Washington DC), Recovery of fragile layers produced on substrates by chemical vapor deposition.

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Davis Robert F. (Raleigh NC) Carter ; Jr. Calvin H. (Raleigh NC) Hunter Charles E. (Durham NC), Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide.

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이 특허를 인용한 특허 (23)

Balakrishna Vijay ; Augustine Godfrey ; Gaida Walter E. ; Thomas R. Noel ; Hopkins Richard H., Advanced physical vapor transport method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide.
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Chen, Zhizhan; Shi, Erwei; Yan, Chengfeng; Xiao, Bing, Apparatus with two-chamber structure for growing silicon carbide crystals.
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Powell,Adrian; Brady,Mark; Tsvetkov,Valeri F., Low basal plane dislocation bulk grown SiC wafers.
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Vodakov, Yury Alexandrovich; Mokhov, Evgeny Nikolaevich; Ramm, Mark Grigorievich; Roenkov, Alexandr Dmitrievich; Makarov, Yury Nikolaevich; Karpov, Sergei Yurievich; Ramm, Mark Spiridonovich; Temkin,, Low defect axially grown single crystal silicon carbide.
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Kordina, Olle Claes Erik; Paisley, Michael James, Method and apparatus for growing silicon carbide crystals.
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Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki, Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal.
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Vodakov, Yury Alexandrovich; Mokhov, Evgeny Nikolaevich; Ramm, Mark Grigorievich; Roenkov, Alexandr Dmitrievich; Makarov, Yury Nikolaevich; Karpov, Sergei Yurievich; Ramm, Mark Spiridonovich; Temkin,, Method for growing single crystal silicon carbide.
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Chen, Wei-Yu; Hwang, Jenn-Chang; Huang, Chih-Fang; Chen, Chien-Cheng, Method of fabricating silicon carbide (SiC) layer.
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Hiromu Shiomi JP; Shigehiro Nishino JP, Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal.
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Shiomi Hiromu,JPX ; Nishino Shigehiro,JPX, Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal.
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Nagasawa, Hiroyuki; Kawahara, Takamitsu; Yagi, Kuniaki, Method of manufacturing silicon carbide, silicon carbide, composite material, and semiconductor element.
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Mueller, Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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Vodakov, Yury Alexandrovich; Mokhov, Evgeny Nikolaevich; Ramm, Mark Grigorievich; Roenkov, Alexandr Dmitrievich; Makarov, Yury Nikolaevich; Karpov, Sergei Yurievich; Ramm, Mark Spiridonovich; Temkin,, Niobium crucible fabrication and treatment.
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Hunter Charles Eric, Production of bulk single crystals of silicon carbide.
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Helava,Heikki I.; Ramm,Mark G., Tantalum based crucible.
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Vodakov, Yury Alexandrovich; Mokhov, Evgeny Nikolaevich; Ramm, Mark Grigorievich; Roenkov, Alexandr Dmitrievich; Makarov, Yury Nikolaevich; Karpov, Sergei Yurievich; Ramm, Mark Spiridonovich; Temkin,, Tantalum crucible fabrication and treatment.
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Vodakov Yury Alexandrovich,RUX ; Mokhov Evgeny Nikolaevich,RUX ; Ramm Mark Grigorievich,RUX ; Roenkov Alexandr Dmitrievich,RUX ; Makarov Yury Nikolaevich,RUX ; Karpov Sergei Yurievich,RUX ; Ramm Mark, Technique for growing silicon carbide monocrystals.
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A	생활필수품
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A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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