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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0845119 (1997-04-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 2 |
An apparatus for growing single-polytype, single crystals of silicon carbide utilizing physical vapor transport as the crystal growth technique. The apparatus has a furnace which has a carbon crucible with walls that border and define a crucible cavity. A silicon carbide source material provided at
[ It is claimed:] [1.] A method for growing large silicon carbide single crystals, comprising the steps of:(A) placing a silicon carbide source material at a first location within a crucible;(B) placing a monocrystalline silicon carbide seed crystal at a second location within said crucible spaced f
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