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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0746657 (1996-11-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 82 인용 특허 : 19 |
The present invention provides systems, methods and apparatus for high temperature (at least about 500-800.degree. C.) processing of semiconductor wafers. The systems, methods and apparatus of the present invention allow multiple process steps to be performed in situ in the same chamber to reduce to
[ What is claimed is:] [1.] A method comprising:flowing one or more process gases into a substrate processing chamber to deposit a layer on a substrate;applying power to a heater for heating the heater to a predetermined target temperature, where an amount of power applied is a function of a tempera
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