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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0858974 (1997-05-20) |
우선권정보 | KR-0018083 (1996-05-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
A thin-film switching device includes an active region including noncrystalline silicon, e.g., hydrogenated amorphous silicon, which includes chlorine distributed in a manner which produces a predetermined photoconductivity and a predetermined field-effect mobility in the active region. Preferably,
[ That which is claimed is:] [14.] A method of fabricating an active region for a thin-film switching device, the method comprising the step of:forming a noncrystalline silicon active region including chlorine that is nonuniformly vertically distributed in a manner which produces a photoconductivity
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