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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0891662 (1997-07-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 3 |
Purification of tantalum by plasma arc melting. The level of oxygen and carbon impurities in tantalum was reduced by plasma arc melting the tantalum using a flowing plasma gas generated from a gas mixture of helium and hydrogen. The flowing plasma gases of the present invention were found to be supe
[ What is claimed is:] [1.] A process for reducing the level of oxygen and carbon impurities in tantalum, comprising the steps of:a. generating a flowing plasma gas from a flowing gas mixture consisting of helium and hydrogen in a plasma arc torch; andb. exposing the tantalum to the flowing plasma g
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