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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0954165 (1997-10-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 65 인용 특허 : 12 |
A semiconductor component, which comprises a pn junction, where both the p-conducting and the n-conducting layers of the pn junction constitute doped silicon carbide layers and where the edge of at least one of the conducting layers of the pn junction, exhibits a stepwise or uniformly decreasing tot
[ We claim:] [1.] A silicon carbide (SiC) semiconductor component comprising a pn junction having;a layer of a first conductivity type, anda layer of a second conductivity type,said layers constituting a pn junction, the edge of at least one of said layers being provided with an edge termination to
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