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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0841690 (1997-04-30) |
우선권정보 | JP-0299791 (1996-10-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 115 인용 특허 : 7 |
A solar cell with a heightened open-circuit voltage and improved junction quality of the interface between an interfacial layer (or buffer layer) and a thin-film light absorbing layer is disclosed. A thin-film solar cell is fabricated on a glass substrate and includes a metallic back electrode, a li
[ What is claimed is:] [1.] A thin-film solar cell comprising a thin-film light absorbing layer of a Cu-III-VI.sub.2 chalcopyrite-structured multi-element compound semiconductor, wherein said solar cell comprises: a metallic back electrode layer; a first thin semiconductor film of a Cu-III-VI.sub.2
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