최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0987572 (1997-12-11) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 2 |
Method and apparatus for growing semiconductor grade silicon carbide boules (84). Pure silicon feedstock (36) is melted and vaporized. The vaporized silicon is reacted with a high purity carbon-containing gas (64), such as propane, and the gaseous species resulting from the reaction are deposited on
[ What is claimed is:] [1.] A method of growing a high purity single crystal silicon carbide boule within the interior of a physical vapor transport furnace system comprising the steps of:(A) placing a seed crystal within said furnace system in a growth structure having a growth cavity therein to ac
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.