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Method for pulsed-plasma enhanced vapor deposition 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C08F-002/46
출원번호 US-0146640 (1998-09-03)
발명자 / 주소
  • Donohoe Kevin G.
  • Sandhu Gurtej S.
출원인 / 주소
  • Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소
    Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth P.A.
인용정보 피인용 횟수 : 30  인용 특허 : 11

초록 ▼

A novel method for pulsed-plasma enhanced chemical vapor deposition ("PPECVD") is described. A power-modulated energy waveform is provided to a gas in a reactor chamber to generate a pulsed-plasma for PPECVD. The power-modulated energy waveform is amplitude-modulated by a beat frequency caused by in

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A method for providing a plasma for pulsed-plasma enhanced chemical vapor deposition, comprising:providing a plasma reactor chamber;flowing a gas into said plasma reactor chamber;providing a power signal, said power signal being modulated by beating to provide a non-sinus

이 특허에 인용된 특허 (11)

  1. Heinecke Rudolf A. H. (Harlow GB2) Stern Ronald C. (Cheshunt GB2), Aluminum deposition on semiconductor bodies.
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  2. Heinecke Rudolf A. H. (Harlow GB2) Stern Ronald C. (Cheshunt GB2), Metallizing semiconductor devices.
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  3. Heinecke Rudolf A. H. (Harlow GB2) Ojha Sureshchandra M. (Harlow GB2) Llewellyn Ian P. (Harlow GB2), Method of surface treatment.
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  4. Heinecke ; Rudolf A. H. ; Ashcroft ; Geoffrey L., Plasma etching.
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  5. Wang David N. (Cupertino CA) White John M. (Hayward CA) Law Kam S. (Union City CA) Leung Cissy (Union City CA) Umotoy Salvador P. (Pittsburg CA) Collins Kenneth S. (San Jose CA) Adamik John A. (San R, Plasma-enhanced CVD process using TEOS for depositing silicon oxide.
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  6. Heinecke Rudolf A. H. (Harlow GB2) Stern Ronald C. (Cheshunt GB2), Process for the pyrolytic deposition of aluminum from TIBA.
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  7. Heinecke Rudolf A. (Essex GB3) Ojha Sureshchandra M. (Essex GB3) Llewellyn Ian P. (Essex GB3), Pulsed plasma apparatus and process.
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  8. Sandhu Gurtej S. (Boise ID) Doan Trung T. (Boise ID), Pulsed plasma enhanced CVD of metal silicide conductive films such as TiSi2.
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  9. Heinecke Rudolf A. H. (Harlow GB2) Ojha Suresh M. (Harlow GB2) Llewellyn Ian P. (Harlow GB2), Pulsed plasma process for treating a substrate.
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  10. Heinecke Rudolf August Herbert (Harlow EN), Selective plasma etching and deposition.
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  11. Heinecke Rudolf A. H. (Harlow GBX) Ojha Suresh M. (Harlow GBX) Llewellyn Ian P. (Harlow GBX), Surface treatment of plastics material.
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이 특허를 인용한 특허 (30)

  1. Donohoe Kevin G. ; Hagedorn Marvin F., Beat frequency modulation for plasma generation.
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  2. Donohoe Kevin G. ; Hagedorn Marvin F., Beat frequency modulation for plasma generation.
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  3. Paterson, Alexander; Todorow, Valentin N.; Panagopoulos, Theodoros; Hatcher, Brian K.; Katz, Dan; Hammond, IV, Edward P.; Holland, John P.; Matyushkin, Alexander, Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source to control plasma ion density.
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  4. Hoffman, Daniel J., Independent control of ion density, ion energy distribution and ion dissociation in a plasma reactor.
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  5. Holland, John P., Independent control of ion density, ion energy distribution and ion dissociation in a plasma reactor.
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  6. van Zyl, Gideon, Method and apparatus for modifying interactions between an electrical generator and a nonlinear load.
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  7. van Zyl, Gideon, Method and apparatus for modifying interactions between an electrical generator and a nonlinear load.
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  8. Mueller, Michael; Westra, Michael Lynn; Richardson, Jeremy; Van Zyl, Gideon, Method and apparatus for modifying the sensitivity of an electrical generator to a nonlinear load.
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  9. Nagarkatti, Siddarth; Tian, Feng; Lam, David; Rashid, Abdul; Benzerrouk, Souheil; Bystryak, Ilya; Menzer, David; Schuss, Jack J.; Ambrosina, Jesse E., Method and system for controlling radio frequency power.
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  10. Nagarkatti, Siddharth; Tian, Feng; Lam, David; Rashid, Abdul; Benzerrouk, Souheil; Bystryak, Ilya; Menzer, David; Schuss, Jack J.; Ambrosina, Jesse E., Method and system for controlling radio frequency power.
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  11. Veerasamy, Vijayen S., Method of making automotive trim with chromium inclusive coating thereon, and corresponding automotive trim product.
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  12. Ditizio, Robert Anthony; Nguyen, Tue; Nguyen, Tai Dung, NanoLayer Deposition process for composite films.
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  13. Nguyen, Tue; Nguyen, Tai Dung, Nanolayer deposition process.
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  14. Nguyen, Tue; Nguyen, Tai Dung, Nanolayer deposition process.
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  15. Nguyen, Tue; Nguyen, Tai Dung, Nanolayer deposition process.
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  16. Nguyen, Tue; Nguyen, Tai Dung, Nanolayer deposition process.
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  17. Ditizio, Robert Anthony; Nguyen, Tue; Nguyen, Tai Dung, Nanolayer deposition using bias power treatment.
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  18. Scanlan, John; O'Leary, Kevin; Coonan, Barry, Plasma chamber conditioning.
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  19. Shannon, Steven C.; Grimard, Dennis S.; Panagopoulos, Theodoros; Hoffman, Daniel J.; Chafin, Michael G.; Detrick, Troy S.; Paterson, Alexander; Liu, Jingbao; Shin, Taeho; Pu, Bryan Y., Plasma control using dual cathode frequency mixing.
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  20. Abatchev,Mirzafer K.; Howard,Brad J.; Donohoe,Kevin G., Plasma etching system and method.
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  21. Abatchev,Mirzafer K.; Howard,Brad J.; Donohoe,Kevin G., Plasma etching system and method.
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  22. Shannon,Steven C.; Paterson,Alex; Panagopoulos,Theodoros; Holland,John P.; Grimard,Dennis; Takakura,Yashushi, Plasma generation and control using a dual frequency RF source.
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  23. Shannon,Steven C.; Paterson,Alexander; Panagopoulos,Theodoros; Holland,John P.; Grimard,Dennis S.; Hoffman,Daniel J., Plasma generation and control using dual frequency RF signals.
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  24. Paterson, Alexander; Todorow, Valentin N.; Panagopoulos, Theodoros; Hatcher, Brian K.; Katz, Dan; Hammond, IV, Edward P.; Holland, John P.; Matyushkin, Alexander, Plasma reactor apparatus with a VHF capacitively coupled plasma source of variable frequency.
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  25. Paterson,Alexander; Todorow,Valentin N.; Panagopoulos,Theodoros; Hatcher,Brian K.; Katz,Dan; Hammond, IV,Edward P.; Holland,John P.; Matyushkin,Alexander, Plasma reactor apparatus with independent capacitive and toroidal plasma sources.
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  26. Paterson, Alexander; Todorow, Valentin N.; Panagopoulos, Theodoros; Hatcher, Brian K.; Katz, Dan; Hammond, IV, Edward P.; Holland, John P.; Matyushkin, Alexander, Process using combined capacitively and inductively coupled plasma sources for controlling plasma ion radial distribution.
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  27. Vona, Jr., Daniel J.; Radomski, Aaron T.; Nasman, Kevin P.; Pulhamus, Jr., William R., Pulsing intelligent RF modulation controller.
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  28. Stowell, Michael W., System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties.
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  29. Murayama, Hitoshi; Shirasuna, Toshiyasu; Niino, Hiroaki; Aoki, Makoto, Vacuum processing method.
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  30. Mueller, Michael; Westra, Michael Lynn; Richardson, Jeremy; Van Zyl, Gideon, Variable-class amplifier, system, and method.
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