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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0887082 (1997-07-02) |
우선권정보 | JP-0176475 (1996-07-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 7 |
A semiconductor device drive circuit comprises first drive means for driving an IGBT, second drive means for driving the IGBT at lower speed than the first drive means, switch means for switching output of the first drive means and output of the second drive means for supply to a gate of the IGBT, a
[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor device driving circuit being connected to a control electrode of an insulated gate bipolar transistor for controlling a conduction state between main electrodes thereof in response to a voltage applied to the control electrode, said semiconductor device dr
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