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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0900121 (1997-07-25) |
우선권정보 | JP-0197856 (1996-07-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 41 인용 특허 : 6 |
A gallium nitride-based compound semiconductor laser has a double-heterojunction structure, in which an active layer is sandwiched between cladding layers, on a sapphire substrate. A GaN current blocking layer having a striped opening portion is formed on the p-cladding layer. A p-GaN buried layer a
[ We claim:] [1.] A nitride-based compound semiconductor laser comprising:an active layer having a cyclic structure formed by cyclically stacking not less than two types of semiconductor layers;first and second cladding layers of first n-type and second p-type conductivity types formed to sandwich s
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