최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0958584 (1997-10-28) |
우선권정보 | DE-4431788 (1994-09-07) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 2 |
molybdenum, vanadium, tungsten, manganese, silicon, selenium, tellurium, niobium, tantalum, sulfur, phosphorus in the form of their oxides, hydrated oxides, other compounds, or combinations thereof.
[ What is claimed as new and desired to be secured by LETTERS PATENT OF THE UNITED STATES IS:] [1.] A process for decomposing HCN in gases, comprising:passing a HCN-containing gas comprising from 15-76% hydrogen, no more than 15% water vapor, nitrogen and optionally carbon monoxide over a catalyst c
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.