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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0932614 (1997-09-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 25 |
The invention comprises an integrated circuit structure, and a process for making same, comprising a via/contact opening in a dielectric layer; a CVD layer of titanium nitride having a thickness of at least about 50 Angstroms, but not exceeding about 200 Angstroms, on the sidewall and bottom surface
[ Having thus described the invention what is claimed is:] [1.] An integrated circuit structure comprising:a) a via/contact opening in a dielectric layer over a semiconductor substrate;b) a CVD layer of titanium nitride having a thickness of at least about 50 Angstroms, but not exceeding about 200 A
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